КТ316А

Закупим транзисторы КТ316А - любое ваше количество из сверхнормативных остатков промышленного назначения, складских резервов организаций, производственных запасов промышленных предприятий.

КТ316А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д, КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ).
Выпускаются:
в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д)
в пластмассовом корпусе с гибкими выводами (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ)
в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов (2Т316А-5).
Тип приборов 2Т316(А-Д), КТ316(А-Д) указывается на корпусе, тип 2Т316А-5 указывается в этикетке.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д.
Масса транзистора
не более 0,6 г в металлостеклянном корпусе,
не более 0,5 г в пластмассовом корпусе,
не более 0,002 г в кристалле.
Основные технические характеристики транзистора КТ316А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Предложения просим направлять по любым нашим контактам.
В предложениях, просим, отображайте: количество, маркировку товара, наличие заводской упаковки у, дата выпуска и фирму производителя.