КТ909Б

Регулярно закупаем транзисторы типа КТ909Б из производственных остатков организаций и промышленных предприятий, невостребованного имущества промышленного назначения, резервов.

КТ909Б
Транзисторы КТ909Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ909Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 54 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 мА (60В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,18 Ом
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 500 МГц
tрас - Время рассасывания: не более 20 нс

Предложения просьба направлять по нашим контактам.
В предложениях указывайте: год выпуска, объем партии и производителя товара.