КТ854Б

Приобретаем транзисторы серии КТ854Б из сверхнормативных остатков организаций и промышленных предприятий, невостребованного имущества промышленных предприятий.

КТ854Б
Транзисторы КТ854Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ854Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 400 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

Все предложения просьба отправлять на электронную почту.
В своих предложениях, пожалуйста, уточняйте: маркировку деталей, есть ли фабричная упаковка у и условия хранения.