КТ837М

На постоянной основе покупаем транзисторы КТ837М из сверхнормативных остатков организаций и предприятий, невостребованных активов промышленного назначения, производственных неликвидов промышленного назначения.

КТ837М
Транзисторы КТ837М кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ837М:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом

Ваши предложения просим отправлять по нашим контактам.
В предложениях уточняйте: объем партии транзисторов, есть ли заводская упаковка у и производителя.