КТ818Г

Покупаем транзисторы КТ818Г из невостребованного имущества промышленного назначения, сверхнормативных запасов, складских остатков.

КТ818Г
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ и пластмассовый с жесткими выводами 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1.
Масса:
транзистора 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ в металлическом корпусе не более 20 г,
транзистора 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2, КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г в пластмассовом корпусе не более 2,5 г,
транзистора КТ818А1, КТ818Б1, КТ818В1, КТ818Г1 в пластмассовом корпусе не более 10 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ818Г:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 90 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом

Все ваши предложения просим направлять на нашу электронную почту.
В своих предложениях отображайте: состояние, условия хранения, год выпуска товара, наличие упаковки у транзисторов и маркировку.