КТ812Б

На постоянной основе выкупаем транзисторы КТ812Б из невостребованного имущества, неликвидов, складских резервов.

КТ812Б
Транзисторы КТ812Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ812Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом

Все ваши предложения просим отправлять по контактам.
В ваших предложениях, пожалуйста, отображайте: производителя, условия хранения и дата выпуска.