КП809Б

Срочно приобрету транзисторы серии КП809Б - все что у вас есть из сверхнормативных резервов промышленного назначения, складских остатков.

КП809Б
Транзисторы КП809Б кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Транзисторы КП809А, КП809Б, КП809В, КП809Г, КП809Д, КП809Е выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Транзисторы KП809A1, КП809Б1, КП809В1, КП809Г1, КП809Д1, КП809Е1 в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Транзисторы КП809Б1-5, КП809Б2-5 в виде кристаллов или на пластине с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Масса транзисторов
в металлическом корпусе не более 16,1 г,
в пластмассовом корпусе не более 5 г,
кристалла КП809Б1-5 не более 0,00545 г, КП809Б2-5 не более 0,0035 г.
Основные технические характеристики транзистора КП809Б:
Структура транзистора: nМОП
Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 100 Вт
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В
Iс - Ток стока (постоянный): 9,6 А
Iс и - Импульсные ток стока (постоянный): 35 А
Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,25 мА
Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА
S - Крутизна характеристики: не менее 1500 мА/В (20В 3А)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3000 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 220 пФ
Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 0,6 Ом

Ваши предложения просьба направлять на электронный адрес.
В предложениях, пожалуйста, отображайте: есть ли фабричная упаковка, количество и год выпуска транзисторов.