КП307Б-1

Приобретаем транзисторы КП307Б-1 из неликвидов промышленного назначения, складских резервов промышленных предприятий и организаций.

КП307Б-1
Транзисторы КП307Б-1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Основные технические характеристики транзистора КП307Б-1:
Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 5 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В
Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 15 мА
S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В (10В)

Все ваши предложения просьба направлять на электронную почту.
В ваших предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения товара, маркировку, производителя и объем партии изделий.