2ТС622Б

Выкупаем транзисторы серии 2ТС622Б из невостребованного имущества, производственных остатков.

2ТС622Б
Транзисторные матрицы 2ТС622А, 2ТС622Б, КТС622А, КТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип матрицы указывается на корпусе.
Масса матрицы не более 0,4 г.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622Б:
Структура транзисторной сборки: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 35 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мкА (45В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 200 нс

Все ваши предложения просим направлять на нашу электронную почту.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: год выпуска транзисторов серии 2ТС622Б, объем партии изделий, состояние, фирму производителя изделий и условия хранения.