2Т837В

Приобретаем транзисторы 2Т837В из невостребованного имущества организаций и предприятий, производственных запасов промышленного назначения.

2Т837В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора :
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом

Все предложения просьба направлять по нашим контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: год выпуска, наличие заводской упаковки у, состояние изделий и количество товара.