159НТ101Б

На постоянной основе закупаем микросхемы серии 159НТ101Б из складских резервов, невостребованного имущества промышленного назначения, складских остатков.

159НТ101Б
Микросхемы 159НТ101Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Масса не более 1,3 г.
Корпус типа 3101.8-1.
Технические условия: АЕЯР.431410.455 ТУ.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ101Б:
- Напряжение коллектор-база ....... 20 В
- Напряжение эмиттер-база ....... 4 В
- Напряжение между транзисторами ....... 20 В
- Ток коллектора постоянный ....... 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) ....... 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) ....... 50 мВт
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет
- в неотапливаемом хранилище - 16,5 лет
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП - 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.

Предложения просим отправлять на наш email.
В ваших предложениях, просим, указывайте: количество, маркировку деталей и дата выпуска изделий.